半导体IC采用平面工艺制造

化学元素周期表中的半导体被确定为最有可能用于固态真空管的材料。从氧化铜开始,到锗,然后是硅,在1940年代和1950年代系统地研究了这些材料。今天,单晶硅是用于IC的主要基板,尽管元素周期表中的一些III-V化合物(如砷化镓)用于LED、激光器、太阳能电池和最高速集成电路。用几十年的时间来完善制造半导体材料晶体结构缺陷最小的晶体的方法。

半导体IC采用平面工艺制造,包括三个关键工艺步骤——光刻、沉积(如化学气相沉积)和蚀刻。主要工艺步骤辅以掺杂和清洗。从22nm节点(英特尔)或16/14nm节点开始,更新的或高性能IC可能会使用多栅极FinFET或GAAFET晶体管而不是平面晶体管。

原创文章,作者:周, 志雄,如若转载,请注明出处:https://www.zjgjs88.com/22181.html

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