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• 首要讲解一下电子元件（IC）有多种故障模式。这些可以按各种方式分类，例如按时间或原因分类。过热、过电流或过电压、电离辐射、机械冲击、压力或冲击以及许多其他原因都可能导致故障。在半导体器件中，器件封装中的问题可能会由于污染、器件的机械应力或开路或短路而导致故障。故障最常发生在零件寿命的开始和结束附近，从而导致故障率的浴缸曲线图。老化程序用于检测早期故障。在半导体器件中，与正常运行无关的寄生结构在发生故障时变得很重要；它们既可以作为失败的来源，也可以作为失败的保护。航空航天系统、生命支持系统、电信、铁路信号和计算机等应用使用大量单独的电子元件。对故障统计特性的分析可以为设计提供指导，以建立给定的可靠性水平。例如，电阻器的功率处理能力在应用于高空飞行器时可能会大大降低，以获得足够的使用寿命。突发故障打开故障如果速度快且电路包含电感，可能会导致多次二次故障；这会导致较大的电压尖峰，可能超过500伏。因此，芯片上的金属化破损可能会导致二次过电压损坏。热失控会导致突然故障，包括熔化、火灾或爆炸。

  

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• 首先得提及到旧手机电池会爆炸吗？对于电池，称为热失控的连锁反应会导致电池产生更多热量并最终着火或爆炸。手机过热的原因会有所不同。物理损坏（因跌倒或过度弯曲而造成的损坏）可能会破坏电池的内部工作。

  

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• 另一个方面如何关闭iPhone上的光传感器？您可以在“设置”>“辅助功能”>“显示和文字大小”中打开或关闭自动亮度。要重置自动亮度设置，请关闭自动亮度，然后重新打开。

  

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• 文末总结化学元素周期表中的半导体被确定为最有可能用于固态真空管的材料。从氧化铜开始，到锗，然后是硅，在1940年代和1950年代系统地研究了这些材料。今天，单晶硅是用于IC的主要基板，尽管元素周期表中的一些III-V化合物（如砷化镓）用于LED、激光器、太阳能电池和最高速集成电路。用几十年的时间来完善制造半导体材料晶体结构缺陷最小的晶体的方法。半导体IC采用平面工艺制造，包括三个关键工艺步骤——光刻、沉积（如化学气相沉积）和蚀刻。主要工艺步骤辅以掺杂和清洗。从22nm节点（英特尔）或16/14nm节点开始，更新的或高性能IC可能会使用多栅极FinFET或GAAFET晶体管而不是平面晶体管。大多数应用都使用单晶硅晶片（或者对于特殊应用，使用其他半导体，例如砷化镓）。晶片不必完全是硅。光刻用于标记要掺杂的衬底的不同区域或在其上沉积多晶硅、绝缘体或金属（通常是铝或铜）轨道。掺杂剂是有意引入半导体以调节其电子特性的杂质。掺杂是将掺杂剂添加到半导体材料中的过程。

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