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1. 前提是，最常见的IC缺陷和故障类型可能所有IC缺陷和故障中最常见的是与电气过应力或EOS相关的缺陷和故障。电气过应力是设备暴露于远远超出设备设计承受范围的电压和电流水平的结果。这种暴露可能是偶然的（由于瞬态效应，如静电放电、电机反激、电涌等）或疏忽（在非预期应用中使用的设备，其占空比或电源电压高于设备的设计用途）)——在任何一种情况下，结果都是施加在设备上的电能过多，在压力下会释放出来（有时如此壮观）。在最夸张的IC缺陷和故障情况下，电过载可以将高度复杂的集成电路转变为熔融硅渣块。然而，一般而言，损伤会更加局部化且难以找到，需要先进的分析技术来定位。

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2. 不仅而且将多个组件组合在一个设备（如现代IC）中的早期尝试是1920年代的Loewe3NF真空管。与IC不同，它的设计目的是为了避税，就像在德国一样，无线电接收器的税收取决于无线电接收器拥有多少个电子管支架。它允许无线电接收器有一个单一的管架。集成电路的早期概念可以追溯到1949年，当时德国工程师WernerJacobi(SiemensAG)为一种类似集成电路的半导体放大设备申请了专利，该设备在一个公共衬底上显示了五个晶体管三级放大器布置。Jacobi公开了小型且廉价的助听器作为其专利的典型工业应用。尚未报道其专利的立即商业用途。该概念的另一个早期支持者是GeoffreyDummer(1909-2002)，他是一位为英国国防部皇家雷达机构工作的雷达科学家。Dummer于1952年5月7日在华盛顿特区举行的质量电子元件进展研讨会上向公众展示了这个想法。他公开举办了许多研讨会来宣传他的想法，但在1956年试图建造这样的电路没有成功。1953年之间和1957年，SidneyDarlington和YasuoTarui（电工实验室）提出了类似的芯片设计，其中几个晶体管可以共享一个共同的有源区域，但没有电隔离将它们彼此分开。单片集成电路芯片是由JeanHoerni发明的平面工艺和KurtLehovec发明的p-n结隔离实现的。Hoerni的发明建立在MohamedM.Atalla在表面钝化方面的工作、Fuller和Ditzenberger关于硼和磷杂质扩散到硅中的工作、CarlFrosch和LincolnDerick在表面保护方面的工作以及Chih-TangSah的工作之上s研究氧化物的扩散掩蔽。

   

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3. 全面来说与分立电路相比，IC有两个主要优势：成本和性能。成本很低，因为这些芯片及其所有组件都是通过光刻作为一个单元印刷的，而不是一次构建一个晶体管。此外，封装IC使用的材料比分立电路少得多。性能之所以高是因为IC的组件切换速度很快，并且由于尺寸小且接近，因此消耗的功率相对较少。IC的主要缺点是设计它们和制造所需光掩模的成本很高。如此高的初始成本意味着IC仅在预计大批量生产时才具有商业可行性。

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