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1. 将多个组件组合在一个设备（如现代IC）中的早期尝试是1920年代的Loewe3NF真空管。与IC不同，它的设计目的是为了避税，就像在德国一样，无线电接收器的税收取决于无线电接收器拥有多少个电子管支架。它允许无线电接收器有一个单一的管架。集成电路的早期概念可以追溯到1949年，当时德国工程师WernerJacobi(SiemensAG)为一种类似集成电路的半导体放大设备申请了专利，该设备在一个公共衬底上显示了五个晶体管三级放大器布置。Jacobi公开了小型且廉价的助听器作为其专利的典型工业应用。尚未报道其专利的立即商业用途。该概念的另一个早期支持者是GeoffreyDummer(1909-2002)，他是一位为英国国防部皇家雷达机构工作的雷达科学家。Dummer于1952年5月7日在华盛顿特区举行的质量电子元件进展研讨会上向公众展示了这个想法。他公开举办了许多研讨会来宣传他的想法，但在1956年试图建造这样的电路没有成功。1953年之间和1957年，SidneyDarlington和YasuoTarui（电工实验室）提出了类似的芯片设计，其中几个晶体管可以共享一个共同的有源区域，但没有电隔离将它们彼此分开。单片集成电路芯片是由JeanHoerni发明的平面工艺和KurtLehovec发明的p-n结隔离实现的。Hoerni的发明建立在MohamedM.Atalla在表面钝化方面的工作、Fuller和Ditzenberger关于硼和磷杂质扩散到硅中的工作、CarlFrosch和LincolnDerick在表面保护方面的工作以及Chih-TangSah的工作之上s研究氧化物的扩散掩蔽。
2. 化学元素周期表中的半导体被确定为最有可能用于固态真空管的材料。从氧化铜开始，到锗，然后是硅，在1940年代和1950年代系统地研究了这些材料。今天，单晶硅是用于IC的主要基板，尽管元素周期表中的一些III-V化合物（如砷化镓）用于LED、激光器、太阳能电池和最高速集成电路。用几十年的时间来完善制造半导体材料晶体结构缺陷最小的晶体的方法。半导体IC采用平面工艺制造，包括三个关键工艺步骤——光刻、沉积（如化学气相沉积）和蚀刻。主要工艺步骤辅以掺杂和清洗。从22nm节点（英特尔）或16/14nm节点开始，更新的或高性能IC可能会使用多栅极FinFET或GAAFET晶体管而不是平面晶体管。大多数应用都使用单晶硅晶片（或者对于特殊应用，使用其他半导体，例如砷化镓）。晶片不必完全是硅。光刻用于标记要掺杂的衬底的不同区域或在其上沉积多晶硅、绝缘体或金属（通常是铝或铜）轨道。掺杂剂是有意引入半导体以调节其电子特性的杂质。掺杂是将掺杂剂添加到半导体材料中的过程。
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